Loại
Nguyên tử Hai Lớp Lắng Đọng
Loại Máy Máy
Atomic Layer Deposition
Video Gọi Đi-Kiểm Tra
Cung Cấp
Máy Móc Báo Cáo Thử Nghiệm
Cung Cấp
Tiếp Thị Loại
Sản Phẩm Hot 2019
Bảo Hành Của Core Thành Phần
1 Năm
Key Điểm Bán Hàng
Giá cả cạnh tranh
Áp dụng Các Ngành Công Nghiệp
PHÒNG THÍ NGHIỆM
Phòng Trưng Bày Trí
Không có
Coating
Chân không Coating
Công suất (W)
customization
Kích thước (L * W * H)
customization
Product name
PEALD plasma enhanced Atomic Layer Deposition System
Sample table size
4-8 inches
Substrate heating temperature
RT-400 degrees, control accuracy: ±1℃
Source container temperature
RT-200 ℃; ±1 ℃
Vacuum reaction chamber
316 stainless steel chamber
Precursor delivery system
4-8 channels (optional liquid source, solid source and gas source)
Deposition mode
fast mode, high aspect ratio mode and professional doping mode
Plasma generation method
ICP
Plasma gas
O2, N2, NH3, H2