Kiểu Lắp
SMD/SMT, Surface Mount
Nơi xuất xứ
Guangdong, China
Loại
RF TRANSISTOR, Pentode Transistor
Nhiệt độ hoạt động
standard
Tham Chiếu Chéo
Original standard
Phương tiện truyền thông Có Sẵn
Other
Hiện Tại-Thu (IC) (Tối Đa)
standard
Điện Áp-Bộ Thu Phát Phân Hủy (Max)
standard
Vce Độ Bão Hòa (Max) @ Ib, IC
standard
Hiện Tại-Thu Cắt (Max)
standard
Dòng Điện DC Tăng (HFE) (Min) @ IC, Vce
standard
Tần Số-Chuyển Tiếp
standard
Nhiệt Độ hoạt động
- 55C to +150C
Điện Trở-Căn Cứ (R1)
standard
Điện Trở-Bộ Phát Căn Cứ (R2)
standard
Thoát Nước Để Điện Áp Nguồn (Vdss)
standard
Hiện Tại-Liên Tục Thoát Nước (ID) @ 25 °C
standard
RDS Trên (Max) @ ID, VGS
standard
VGS (TH) (Tối Đa) @ ID
standard
Cổng Sạc (QG) (Tối Đa) @ VGS
standard
Đầu Vào Điện Dung (Ciss) (Tối Đa) @ VDS
standard
Đánh Giá Hiện Tại (Amps)
standard
Ổ Điện Áp (Max RDS Trên, Min RDS Trên)
standard
Vce (Ngày) (Tối Đa) @ Vge, IC
standard
Đầu Vào Điện Dung (Cies) @ Vce
standard
NTC Nhiệt Điện Trở
standard
Điện Áp-Phân Hủy (V (BR) GS)
standard
Hiện Tại-Thoát Nước (Idss) @ VDS (VGS = 0)
standard
Hiện Tại Thoát Nước (ID)-Max
standard
Điện Áp-Cắt (VGS Tắt) @ ID
standard
Sức Đề Kháng-RDS (Trên)
standard
Điện Áp-Bù Đắp (VT)
standard
Hiện Tại Cửa Khẩu Đến Cực Dương Rò Rỉ (Igao)
standard
Hiện Tại-Thung Lũng IV
standard
Hiện Tại-Đỉnh Cao
standard
Transistor Loại
Original standard
FET Type
N and P-Channel, Common Drain
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.5A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250uA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V